IPP04CN10NGXKSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPP04CN10NGXKSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MV POWER MOS |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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500+ | $3.9581 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3 |
Serie | OptiMOS™ 2 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 100A, 10V |
Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13800 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPP04CN10 |
IPP04CN10NGXKSA1 Einzelheiten PDF [English] | IPP04CN10NGXKSA1 PDF - EN.pdf |
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2023/12/20
![]() IPP04CN10NGXKSA1Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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